太陽誘電開發(fā)出檢測靈敏度為1ppb的氣體傳感器，并在2007年10月2日開幕的“CEATEC JAPAN 2007”上展示。氣體傳感器在硅晶圓上形成介電膜，因其吸附氣體的特點(diǎn)太陽誘電將其稱為“納米級氣體傳感器”。介電膜本身尺寸極小，為80μm×500μm，便于實(shí)現(xiàn)傳感器整體的小型化。

　　關(guān)于用途，太陽誘電首先考慮用于半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備內(nèi)氧氣殘留測定等生產(chǎn)線用途。目前，進(jìn)行ppb級的檢測僅限于工廠設(shè)備安裝時(shí)使用分析設(shè)備來檢測殘留氣體的濃度。該公司認(rèn)為，今后隨著半導(dǎo)體工藝的微細(xì)化，必須提高在線氣體檢測精度，1ppb～數(shù)ppb的高檢測靈敏度傳感器的需求將增大。

　　此次開發(fā)出的傳感器利用介電膜吸附氣體后，介電膜的電阻值出現(xiàn)變化，以此來檢測氣體。具體的檢測方法如下。在介電膜吸附欲檢測的氣體后，檢測介電膜的電阻值。然后，加熱介電膜使強(qiáng)介電體變化為正常介電體，放出氣體。之后再次使介電體吸附氣體，并測量電阻值恢復(fù)到之前的檢測值所需時(shí)間。由于氣體再次被介電體吸附的時(shí)間與氣體濃度成反比，所以可以測定氣體濃度。通過檢測氣體放出時(shí)的電阻值的時(shí)間變化，能夠?qū)崿F(xiàn)高檢測精度。過去的半導(dǎo)體氣體傳感器也是利用氣體吸附來檢測電阻值的變化，不過控制氣體的放出較難，檢測電阻值的時(shí)間變化也很難。

　　此次展示的傳感器的開發(fā)為日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的2007年地區(qū)新建產(chǎn)業(yè)制造技術(shù)開發(fā)費(fèi)用補(bǔ)助項(xiàng)目。目標(biāo)是09年供應(yīng)樣品。如果實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的話，估計(jì)包括檢測電路在內(nèi)的單價(jià)將控制在數(shù)萬日元以內(nèi)。